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銦鎵砷光電探測(cè)器,帶放大,OEM封裝

更新時(shí)間:2025-01-21

簡(jiǎn)要描述:

銦鎵砷光電探測(cè)器,帶放大,OEM封裝
提供兩種NIR型號(hào):
PDAPC4:800到1700 nm
PDAPC3:900到1700 nm
可調(diào)增益的低噪聲放大器
50 Ω負(fù)載阻抗
自由空間光學(xué)輸入
通過(guò)跳線(xiàn)和MMCX接頭可讀取輸出

Thorlabs 銦鎵砷光電探測(cè)器,帶放大,OEM封裝

銦鎵砷光電探測(cè)器,帶放大,OEM封裝

特性

  • 提供兩種固定增益的型號(hào),用于NIR:

    • PDAPC6: 800到1700 nm

    • PDAPC7: 900到2600 nm

  • 提供兩種可調(diào)增益的型號(hào),用于NIR:

    • PDAPC4:800到1700 nm

    • PDAPC3:900到1700 nm

  • 低噪聲放大,固定或可調(diào)增益

  • 50 Ω負(fù)載阻抗

  • 自由空間光學(xué)輸入

  • 通過(guò)電路板排針引腳和MMCX母接頭輸出

我們提供一系列銦鎵砷(InGaAs)自由空間型帶放大的光電探測(cè)器,對(duì)遠(yuǎn)至1700 nm的近紅外光靈敏;一種波長(zhǎng)擴(kuò)展型的銦鎵砷自由空間帶放大光電探測(cè)器,對(duì)近紅外至2600 nm的波長(zhǎng)敏感。這些帶放大的光電探測(cè)器內(nèi)置低噪聲跨阻放大器(TIA),且有固定增益或帶八種增益設(shè)置的可調(diào)增益。增益可以通過(guò)電路板上的接頭引腳調(diào)節(jié)或通過(guò)四個(gè)DIP開(kāi)關(guān)手動(dòng)調(diào)節(jié)??烧{(diào)增益型號(hào)提供11 - 13 MHz的最大帶寬,而固定增益型號(hào)提供150 MHz的更高帶寬。

這些光電探測(cè)器可驅(qū)動(dòng)的負(fù)載范圍從50 Ω到Hi-Z,并可通過(guò)印刷電路板(PCB)背面的跳線(xiàn)或MMCX接頭讀取輸出。每塊探測(cè)器的PCB板都具有四個(gè)?3.2 mm通孔,其間距為30 mm,兼容我們的30 mm籠式系統(tǒng)或安裝在自定的外殼和設(shè)備中。

電源
±12 V的線(xiàn)性電源在
下方單獨(dú)出售,支持100、120和230 VAC輸入電壓。將電源連接到電源電壓之前,請(qǐng)確保電源模塊上的線(xiàn)性電壓開(kāi)關(guān)已經(jīng)設(shè)定在正確的電壓范圍。請(qǐng)始終使用電源上的開(kāi)關(guān)來(lái)給電源通電。建議裝置不要熱插拔。

Thorlabs 銦鎵砷光電探測(cè)器,帶放大,OEM封裝

Item #Wavelength RangeBandwidthNoise Equivalent Power (NEP)
Fixed Gain
PDAPC6800 - 1700 nmDC - 150 MHz12.6 pW/Hz1/2
PDAPC7900 - 2600 nmDC - 25 MHz10.1 pW/Hz1/2
Switchable Gain
PDAPC4a800 - 1700 nmDC - 11 MHz1.95 - 61.0 pW/Hz1/2
PDAPC3a900 - 1700 nmDC - 13 MHz1.91 - 46.0 pW/Hz1/2
  • 可通過(guò)八種用戶(hù)可選的增益設(shè)置以10 dB步長(zhǎng)進(jìn)行切換。帶寬與增益成反比。


銦鎵砷光電探測(cè)器,帶放大,OEM封裝

銦鎵砷光電探測(cè)器,自由空間型,可調(diào)增益,帶放大,OEM封裝

Item #aPackage
Featuresb
Wavelength
Range
Bandwidth
Range
GainNoise Equivalent Power (NEP)cTypical
Performance
Graphs
Active Area
(Click Link for Image)
Operating
Temperature
Range
Hi-Z Load50 Ω Load
PDAPC4d800 - 1700 nmDC - 11 MHze1.51 kV/A - 4.75 MV/A0.75 kV/A - 2.38 MV/A1.95 - 61.0 pW/Hz1/2銦鎵砷光電探測(cè)器,帶放大,OEM封裝3.14 mm2
(?2.0 mm)
10 to 40 °C
PDAPC3d900 - 1700 nmDC - 13 MHze1.51 kV/A - 4.75 MV/A0.75 kV/A - 2.38 MV/A1.91 - 46.0 pW/Hz1/2銦鎵砷光電探測(cè)器,帶放大,OEM封裝0.8 mm2
(?1.0 mm)
10 to 40 °C
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  • NEP在峰值響應(yīng)波長(zhǎng)下。對(duì)于增益可調(diào)的版本,NEP會(huì)隨著增益設(shè)置而變化,因此這里提供的是一個(gè)NEP范圍。

  • 還提供已封裝在帶接頭外殼中的版本,請(qǐng)看交叉對(duì)比標(biāo)簽。

  • 可通過(guò)八種用戶(hù)可選的增益設(shè)置以10 dB步長(zhǎng)進(jìn)行切換。帶寬與增益成反比。










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